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6.2.3 DC CHARACTERISTICS
LHF08CTE
DC Characteristics
27
V CC =2.7V
V CC =3.3V
V CC =5V
Test
Sym.
I LI
I LO
Parameter
Input Load Current
Output Leakage Current
Notes Typ.
1
1
Max.
± 0.5
± 0.5
Typ.
Max.
± 0.5
± 0.5
Typ.
Max. Unit
± 1
μA
± 10
μA
Conditions
V CC =V CC Max.
V IN =V CC or GND
V CC =V CC Max.
V OUT =V CC or GND
I CCS
V CC Standby Current
1,3,6
20
100
20
100
25
100
μA
CMOS Inputs
V CC =V CC Max.
CE#=RP#=V CC ±0.2V
TTL Inputs
0.1
2
0.2
2
0.4
2
mA
V CC =V CC Max.
CE#=RP#=V IH
I CCD
V CC Deep Power-Down
Current
1
20
20
20
μA
RP#=GND ± 0.2V
I OUT (RY/BY#)=0mA
I CCR
V CC Read Current
1,5,6
6
12
7
12
17
35
mA
CMOS Inputs
V CC =V CC Max.
CE#=GND
f=5MHz(3.3V, 2.7V),
8MHz(5V)
I OUT =0mA
TTL Inputs
7
18
8
18
20
50
mA
V CC =V CC Max.
CE#=GND
f=5MHz(3.3V, 2.7V),
8MHz(5V)
I CCW
I CCE
V CC Byte Write or
Set Lock-Bit Current
V CC Block Erase or
Clear Block Lock-Bits
Current
1,7
1,7
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
17
17
12
17
17
12
?
?
?
35
30
?
30
25
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I OUT =0mA
V PP =3.3V±0.3V
V PP =5.0V±0.5V
V PP =12.0V±0.6V
V PP =3.3V±0.3V
V PP =5.0V±0.5V
V PP =12.0V±0.6V
I CCWS
I CCES
I PPS
I PPR
I PPD
I PPW
I PPE
V CC Byte Write or Block
Erase Suspend Current
V PP Standby or Read
Current
V PP Deep Power-Down
Current
V PP Byte Write or Set
Lock-Bit Current
V PP Block Erase or
Clear Lock-Bit Current
1,2
1
1
1,7
1,7
?
± 2
10
0.1
?
?
?
?
?
?
?
± 15
200
5
?
?
?
?
?
?
1
± 2
10
0.1
6
± 15
200
5
40
40
15
20
20
15
1
± 2
10
0.1
?
?
10
± 15
200
5
?
40
15
?
20
15
mA
μA
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
CE#=V IH
V PP ≤ V CC
V PP >V CC
RP#=GND ± 0.2V
V PP =3.3V±0.3V
V PP =5.0V±0.5V
V PP =12.0V±0.6V
V PP =3.3V±0.3V
V PP =5.0V±0.5V
V PP =12.0V±0.6V
I PPES
I PPWS V PP Byte Write or Block
Erase Suspend Current
1
?
?
10
200
10
200
μA
V PP =V PPH1/2/3
Rev. 1.3
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